金融界 2024 年 11 月 30 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡中微爱芯电子有限公司申请一项名为“一种基于 8051 核的 FLASH 控制电路”的专利，公开号 CN 119045749 A，申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示，本发明涉及 FLASH 控制技术领域，公开了一种基于 8051 核的 FLASH 控制电路，包括 D 触发器 DFF1、异或门 XOR1、跳转指令脉冲产生单元、跳转指令脉冲控制单元、与门 AND1 和或门 OR1；在实际使用时，本发明通过判断 8051 核执行的指令是否为跳转指令，以及在当前执行的指令为跳转指令时产生一个低电平滤波信号 pause_1，该滤波信号 pause_1 和 D 触发器 DFF1 的 Q 输出端输出的信号进行与处理，从而改变最后输出的地址锁存信号的波形，使 8051 核在执行跳转指令时避免无效读取的情况出现，从而降低功耗。
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